(9分)按要求填空,回答下列问题。
(1)第三周期中,原子半径最小的元素是(稀有气体元素除外)_____________;ⅦA族中,非金属性最强的元素是_____________(填写元素符号)。
(2)铷、氯、锗三种元素中,适合做半导体材料的是 (填元素名称)。
(3)X元素的原子核外有2个电子层,其中L层有5个电子,该元素在周期表中的位置为 ,其气态氢化物的化学式 ,最高价氧化物的化学式为 ,该元素最高价氧化物对应水化物与其氢化物反应产物的化学式为 。
(4)氮化铝(A1N)具有耐高温、抗冲击、导热性好等优良性质,工业将氧化铝、氮气和碳在一定条件下反应制得AlN和CO,请将下列的化学反应方程式配平。
Al2O3 + N2 + C — AlN + CO
高一化学填空题困难题
(9分)按要求填空,回答下列问题。
(1)第三周期中,原子半径最小的元素是(稀有气体元素除外)_____________;ⅦA族中,非金属性最强的元素是_____________(填写元素符号)。
(2)铷、氯、锗三种元素中,适合做半导体材料的是 (填元素名称)。
(3)X元素的原子核外有2个电子层,其中L层有5个电子,该元素在周期表中的位置为 ,其气态氢化物的化学式 ,最高价氧化物的化学式为 ,该元素最高价氧化物对应水化物与其氢化物反应产物的化学式为 。
(4)氮化铝(A1N)具有耐高温、抗冲击、导热性好等优良性质,工业将氧化铝、氮气和碳在一定条件下反应制得AlN和CO,请将下列的化学反应方程式配平。
Al2O3 + N2 + C — AlN + CO
高一化学填空题困难题查看答案及解析
下表标出的是元素周期表的一部分元素,回答下列问题:
(1)除稀有气体外第三周期中原子半径最小的是_____(填元素符号)
(2)表中用字母标出的12种元素中,化学性质最不活泼的是_____(用元素符号表示,下同),金属性最强的是___(用元素符号表示),属于过渡元素的是___(该空格用表中的字母表示)
(3)元素B的单质含有的化学键为_____。(填“离子键’’、“极性共价键”、“非极性共价键”)
(4)D、F元素最高价氧化物对应水化物相互反应的离子方程式为_____________
(5)为比较元素A和G的非金属性强弱,用图所示装置进行实验(夹持仪器已略去,装置气密性良好)。溶液B应该选用_____溶液,作用是_________,能说明A和G非金属性强弱的化学方程式是:________________________。
高一化学综合题中等难度题查看答案及解析
下表标出的是元素周期表的一部分元素,回答下列问题:
(1)除稀有气体外第三周期中原子半径最小的是_____(填元素符号)
(2)表中用字母标出的12种元素中,化学性质最不活泼的是_____(用元素符号表示,下同),金属性最强的是___(用元素符号表示),属于过渡元素的是___(该空格用表中的字母表示)
(3)元素B的单质含有的化学键为_____。(填“离子键’’、“极性共价键”、“非极性共价键”)
(4)D、F元素最高价氧化物对应水化物相互反应的离子方程式为_____________
(5)为比较元素A和G的非金属性强弱,用图所示装置进行实验(夹持仪器已略去,装置气密性良好)。溶液B应该选用_____溶液,作用是_________,能说明A和G非金属性强弱的化学方程式是:________________________。
高一化学综合题中等难度题查看答案及解析
下表标出的是元素周期表的一部分元素,回答下列问题:
(1)除稀有气体外第三周期中原子半径最小的是_____(填元素符号)
(2)表中用字母标出的12种元素中,化学性质最不活泼的是_____(用元素符号表示,下同),金属性最强的是___(用元素符号表示),属于过渡元素的是___(该空格用表中的字母表示)
(3)元素B的单质含有的化学键为_____。(填“离子键’’、“极性共价键”、“非极性共价键”)
(4)D、F元素最高价氧化物对应水化物相互反应的离子方程式为_____________
(5)为比较元素A和G的非金属性强弱,用图所示装置进行实验(夹持仪器已略去,装置气密性良好)。溶液B应该选用_____溶液,作用是_________,能说明A和G非金属性强弱的化学方程式是:________________________。
高一化学综合题中等难度题查看答案及解析
下表标出的是元素周期表的一部分元素,回答下列问题:
A | B | C | |||||||||||||||
D | E | F | G | H | I | J | K | ||||||||||
M |
(1)除稀有气体外第三周期中原子半径最小的是_____(填元素符号)
(2)表中用字母标出的12种元素中,化学性质最不活泼的是_____(用元素符号表示,下同),金属性最强的是___(用元素符号表示),属于过渡元素的是___(该空格用表中的字母表示)
(3)以A的最简单氢化物为燃料,D的最高价氧化物对应水化物为电解质溶液的燃料电池,其负极电极反应式为_____
(4)D、F元素最高价氧化物对应水化物相互反应的离子方程式为_____________
(5)为比较元素A和G的非金属性强弱,用图所示装置进行实验(夹持仪器已略去,装置气密性良好)。溶液B应该选用_____溶液,作用是_________,能说明A和G非金属性强弱的化学方程式是:______________。
高一化学推断题简单题查看答案及解析
(12分)元素单质及其化合物有广泛用途,请根据周期表中第三周期元素相关知识回答下列问题:
(1)按原子序数递增的顺序(稀有气体除外),以下说法正确的是 。
a.原子半径和离子半径均减小
b.金属性减弱,非金属性增强
c.氧化物对应的水合物碱性减弱,酸性增强
d.单质的熔点降低
(2)原子最外层电子数与次外层电子数相同的元素名称为 ,氧化性最弱的简单阳离子是 。
(3)晶体硅(熔点1410℃)是良好的半导体材料。由粗硅制纯硅过程如下:
写出SiCl4的电子式: ;在上述由SiCl4制纯硅的反应中,测得每生成1.12kg纯硅需吸收akJ热量,则生成1mol纯硅吸收的热量为
(4)KClO3可用于实验室制O2,若不加催化剂,400℃时分解只生成两种盐,其中一种是无氧酸盐,另一种盐的阴阳离子个数比为1:1。写出该反应的化学方程式: 。
高一化学填空题极难题查看答案及解析
元素单质及其化合物有广泛用途,请根据周期表中第三周期元素相关知识回答下列问题:
(1)按原子序数递增的顺序(稀有气体除外),以下说法正确的是______。
a.原子半径和离子半径均减小
b.金属性减弱,非金属性增强
c.单质的熔点降低
d.氧化物对应的水化物碱性减弱,酸性增强
原子最外层电子数与次外层电子数相同的元素名称为_____,氧化性最弱的简单阳离子是____。
(2)已知:
化合物 | MgO | Al2O3 | MgCl2 | AlCl3 |
类型 | 离子化合物 | 离子化合物 | 离子化合物 | 共价化合物 |
熔点/℃ | 2800 | 2050 | 714 | 191 |
工业制镁时,电解MgCl2而不电解MgO的原因是_____;制铝时,电解Al2O3而不电解AlCl3的原因是_____。
(3)晶体硅(熔点1410℃)是良好的半导体材料。由粗硅制纯硅过程如下:
Si(粗)SiCl4SiCl4(纯)Si(纯)
写出SiCl4的电子式:_____;
(4)下列气体不能用浓硫酸干燥,可用P2O5干燥的是_____。
a.NH3 b.HI c.SO2 d.CO2
(5)KClO3可用于实验室制O2,若不加催化剂,400℃时分解只生成两种盐,其中一种是无氧酸盐,另一种盐的阴阳离子个数比为1:1。写出该反应的化学方程式:____。
高一化学综合题中等难度题查看答案及解析
元素单质及其化合物有广泛用途,请根据周期表中第三周期元素相关知识回答下列问题:
(1)按原子序数递增的顺序(稀有气体除外),以下说法正确的是
a.原子半径和离子半径均减小
b.金属性减弱,非金属性增强
c.氧化物对应的水化物碱性减弱,酸性增强
d.单质的熔点降低
(2)原子最外层电子数与次外层电子数相同的元素名称为 ,氧化性最弱的简单阳离子是 。
(3)已知:
化合物 | MgO | Al2O3 | MgCl2 | AlCl3 |
类型 | 离子化合物 | 离子化合物 | 离子化合物 | 共价化合物 |
熔点/℃ | 2800 | 2050 | 714 | 191 |
工业制镁时,电解MgCl2而不电解MgO的原因是 ;
制铝时,电解Al2O3而不电解AlCl3的原因是 。
(4)晶体硅(熔点1410 ℃)是良好的半导体材料。由粗硅制纯硅过程如下:
写出SiCl4的电子式: ;在上述由SiCl4制纯硅的反应中,测得每生成1.12 kg纯硅需吸收a kJ热量,写出该反应的热化学方程式:
(5)P2O5是非氧化性干燥剂,下列气体不能用浓硫酸干燥,可用P2O5干燥的是
a.NH3 b.HI c.SO2 d.CO2
(6)KClO3可用于实验室制O2,若不加催化剂,400 ℃时分解只生成两种盐,其中一种是无氧酸盐,另一种盐的阴阳离子个数比为1∶1。写出该反应的化学方程式:
(7)工业上,通过如下转化可制得KClO3晶体:
完成Ⅰ中反应的总化学方程式:
Ⅱ该反应过程能析出KClO3晶体而无其他晶体析出的原因是 。
高一化学简答题极难题查看答案及解析
元素单质及其化合物有广泛用途,请根据周期表中第三周期元素相关知识回答下列问题:
(1)按原子序数递增的顺序(稀有气体除外),以下说法正确的是_______。
a.单质的熔点降低
b.原子半径和简单离子半径均减小
c.元素的金属性减弱,非金属性增强
d.氧化物对应的水化物碱性减弱,酸性增强
(2)氧化性最弱的简单阳离子是_______;热稳定性:H2O____H2S(填>、<、=)。
(3)写出SiCl4的电子式:________。
(4)已知化合物M由第三周期的两种相邻元素按原子个数比1:1组成,不稳定,遇水反应生成谈黄色沉淀A和两种无色有刺意性气味气体B、C,相应物质的转化关系如图:
①已知M的摩尔质量为135g/mol,写出M的化学式_____。
②任选一种合适的氧化剂Y,写出C的浓溶液与Y反应生成D的离子反应方程式_______。
③M中的一种元素可形成化合物KXO3,可用于实验室制O2。若不加催化剂,400 ℃时KXO3分解只生成两种盐,其中一种是无氧酸盐,另一种盐的阴阳离子个数比为1:1。写出该反应的化学方程式:____________。
高一化学综合题中等难度题查看答案及解析
元素单质及其化合物有广泛用途,请根据周期表中第三周期元素相关知识回答下列问题:
(1)按原子序数递增的顺序(稀有气体除外),以下说法正确的是________。
a.原子半径和离子半径均减小
b.金属性减弱,非金属性增强
c.氧化物对应的水化物碱性减弱,酸性增强
d.单质的熔点降低
(2)原子最外层电子数与次外层电子数相同的元素名称为________,氧化性最弱的简单阳离子是________。
(3)已知:
化合物 | MgO | Al2O3 | MgCl2 | AlCl3 |
类型 | 离子化合物 | 离子化合物 | 离子化合物 | 共价化合物 |
熔点/℃ | 2800 | 2050 | 714 | 191 |
工业制镁时,电解MgCl2而不电解MgO的原因是_______________________________ ___;
制铝时,电解Al2O3而不电解AlCl3的原因是____________________________ __。
(4)晶体硅(熔点1410 ℃)是良好的半导体材料,SiCl4(熔点-70 ℃)。由粗硅制纯硅过程如下:
SiCl4属于 晶体。在上述由SiCl4制纯硅的反应中,测得每生成1.12 kg纯硅需吸收a kJ热量,写出该反应的热化学方程式:______________________________________ 。
(5)P2O5是非氧化性干燥剂,下列气体不能用浓硫酸干燥,可用P2O5干燥的是________。
a.NH3b.HI c.SO2d.CO2
高一化学填空题简单题查看答案及解析