磷的单质和化合物在科研与生产中有许多重要用途。请回答下列问题:
(1)白磷是磷的一种单质,其分子结构如图所示,则一个分子中有____对成键电子对和____对孤电子对。
(2)N和P都有+5价,PCl5能形成离子型晶体,晶格中含有[PCl4]+和[PCl6]-,则[PCl4]+空间构型为_______。但NCl5不存在,其原因是________________________;
(3)电负性比较:P_____S(填“>”“=”“<”);而P的第一电离能比S大的原因是______。
(4)复杂磷酸盐有直链多磷酸盐(如图b)和环状偏磷酸盐(如图c)。其酸根阴离子都是由磷氧四面体(图a)通过共用氧原子连接而成。
直链多磷酸盐的酸根离子(图b)中,磷原子和氧原子的原子个数比为n:_______;含3个磷原子的环状偏磷酸盐的酸根离子(图c)的化学式为________。
(5)磷化镓(GaP)材料是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料。GaP的晶体结构是闪锌矿型结构(如图所示),晶胞参数apm。
①与Ga紧邻的P个数为________。
②GaP晶体的密度为(列出计算式)______g·cm-3(NA为阿伏加德罗常数)。
高三化学综合题中等难度题
磷的单质和化合物在科研与生产中有许多重要用途,铜及其合金是人类最早使用的金属材料。请回答下列问题:
(1)白磷是磷的一种单质,其分子结构如图所示,则一个分子中有____对成键电子对和____对孤电子对。
(2)N和P都有+5价,PCl5能形成离子型晶体,晶格中含有[PCl4]+和[PCl6]-,则[PCl4]+空间构型为______。
(3)电负性比较:P_____S(填“>”“=”“<”);而P的第一电离能比S大的原因是______。
(4)铜及其合金是人类最早使用的金属材料,Cu2+能与NH3形成配位数为4的配合物[Cu(NH3)4]SO4。
①铜元素在周期表中的位置是__________ ,1mol[Cu(NH3)4]SO4 有___mol配位键 ;②[Cu(NH3)4]SO4中,存在的化学键的类型有_____(填标号)。
A.离子键 B.金属键 C.配位键 D.非极性键 E.极性键
(5)磷化镓(GaP)材料是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料。GaP的晶体结构是闪锌矿型结构(如图所示),晶胞参数apm。
①与Ga紧邻的P个数为________。
②GaP晶体的密度为(列出计算式) ______g·cm-3(NA为阿伏加德罗常数)。
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磷的单质和化合物在科研与生产中有许多重要用途。请回答下列问题:
(1)白磷是磷的一种单质,其分子结构如图所示,则一个分子中有____对成键电子对和____对孤电子对。
(2)N和P都有+5价,PCl5能形成离子型晶体,晶格中含有[PCl4]+和[PCl6]-,则[PCl4]+空间构型为_______。但NCl5不存在,其原因是________________________;
(3)电负性比较:P_____S(填“>”“=”“<”);而P的第一电离能比S大的原因是______。
(4)复杂磷酸盐有直链多磷酸盐(如图b)和环状偏磷酸盐(如图c)。其酸根阴离子都是由磷氧四面体(图a)通过共用氧原子连接而成。
直链多磷酸盐的酸根离子(图b)中,磷原子和氧原子的原子个数比为n:_______;含3个磷原子的环状偏磷酸盐的酸根离子(图c)的化学式为________。
(5)磷化镓(GaP)材料是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料。GaP的晶体结构是闪锌矿型结构(如图所示),晶胞参数apm。
①与Ga紧邻的P个数为________。
②GaP晶体的密度为(列出计算式)______g·cm-3(NA为阿伏加德罗常数)。
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VA族的氮、磷、砷(As)等元素在化合物中常表现出多种氧化态,含VA族元素的化合物在研究和生产中有许多重要用途.请回答下列问题:
(1)白磷单质的中P原子采用的轨道杂化方式是________;
(2)原子的第一电离能是指气态电中性基态原子失去一个电子转化为气态基态正离子所需要的最低能量,N、P、As原子的第一电离能由大到小的顺序为________;
(3)As原子序数为________,其核外M层和N层电子的排布式为________;
(4)NH3的沸点比PH3________(填“高”或“低”),原因是________.PO43-离子的立体构型为________;
(5)H3PO4的K1、K2、K3分别为7.6×10-3、6.3×10-8、4.4×10-13.硝酸完全电离,而亚硝酸K=5.1×10-4,请根据结构与性质的关系解释:
①H3PO4的K1远大于K2的原因________;
②硝酸比亚硝酸酸性强的原因________;
(6)NiO晶体结构与NaCl晶体类似,其晶胞的棱长为a cm,则该晶体中距离最近的两个阳离子核间的距离为________cm(用含有a的代数式表示).在一定温度下NiO晶体可以自发地分散并形成“单分子层”(如图),可以认为氧离子作密致单层排列,镍离子填充其中,列式并计算每平方米面积上分散的该晶体的质量为________g (氧离子的半径为1.40×10-10m)
高三化学填空题极难题查看答案及解析
ⅤA族的氮、磷、砷(As)等元素在化合物中常表现出多种氧化态,含ⅤA族元素的化合物在研究和生产中有许多重要用途。请回答下列问题:
(1)白磷单质中的P原子采用的轨道杂化方式是 。
(2)原子的第一电离能是指气态电中性基态原子失去一个电子转化为气态基态正离子所需要的最低能量,N、P、As原子的第一电离能由大到小的顺序为 。
(3)As原子序数为 ,其核外M层和N层电子的排布式为 。
(4)NH3的沸点比PH3 (填“高”或“低”),原因是 。
P的立体构型为 。
(5)H3PO4的K1、K2、K3分别为7.6×10-3、6.3×10-8、4.4×10-13。硝酸完全电离,而亚硝酸K=5.1×10-4,请根据结构与性质的关系解释:
①H3PO4的K1远大于K2的原因 ;
②硝酸比亚硝酸酸性强的原因 。
(6)NiO晶体结构与NaCl晶体类似,其晶胞的棱长为a cm,则该晶体中距离最近的两个阳离子核间的距离为 cm(用含有a的代数式表示)。在一定温度下NiO晶体可以自发地分散并形成“单分子层”(如下页图),可以认为氧离子作密致单层排列,镍离子填充其中,列式并计算每平方米面积上分散的该晶体的质量为 g(氧离子的半径为1.40×10-10 m)。
高三化学填空题极难题查看答案及解析
VIA族的氧、硫、硒(Se)、碲(Te)等元素在化合物中常表现出多种氧化态,含VIA族元素的化合物在研究和生产中有许多重要用途.请回答下列问题:
(1)S单质的常见形式为S8,其环状结构如图1所示,S原子采用的轨道杂化方式是 ;
(2)原子的第一电离能是指气态电中性基态原子失去一个电子转化为气态基态正离子所需要的最低能量,O、S、Se原子的第一电离能由大到小的顺序为 ;
(3)Se原子序数为 ,其核外M层电子的排布式为 ;
(4)H2Se的酸性比H2S (填“强”或“弱”).气态SeO3分子的立体构型为 平面三角形,SO32﹣离子的立体构型为 三角锥形;
(5)H2SeO3的K1和K2分别为2.7×10﹣3和2.5×10﹣8,H2SeO4第一步几乎完全电离,K2为1.2×10﹣2,请根据结构与性质的关系解释:
①H2SeO3和H2SeO4第一步电离程度大于第二步电离的原因: ;第一步电离后生成的负离子较难再进一步电离出带正电荷的氢离子;
②H2SeO4比H2SeO3酸性强的原因: ;
(6)ZnS在荧光体、光导体材料、涂料、颜料等行业中应用广泛.立方ZnS晶体结构如图2所示,其晶胞边长为540.0pm,密度为 (列式并计算),a位置S2﹣离子与b位置Zn2+离子之间的距离为 pm(列式表示).
高三化学填空题困难题查看答案及解析
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VA族的氮、磷、砷(As)等元素的化合物在科研和生产中有许多重要用途,请回答下列问题。
(1)砷的基态原子的电子排布式为 。
(2)原子的第一电离能是指气态电中性基态原子失去一个电子转化为气态基态正离子所需要的最低能量,N、P、As原子的第一电离能由大到小的顺序为 。
(3)NH3的沸点比PH3高,原因是 ;PO43-离子的立体构型为 。
(4)AsH3是无色稍有大蒜气味的气体,在AsH3中As原子的杂化轨道类型为 。
(5)H3AsO4和H3AsO3是砷的两种含氧酸,请根据结构与性质的关系,解释H3AsO4比H3AsO3 酸性强的原因 。
(6)磷的一种单质白磷(P4)属于分子晶体,其晶胞结构如下图。已知最近两个白磷分子间的距离为 a pm,阿伏加德罗常数的值为NA,则该晶体的密度为 g/cm3(只要求列算式,不必计算)。
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【选修3物质结构与性质】(15分)
VIA族的氧、硫、硒(Se)、碲(Te)等元素在化合物中常表现出多种氧化态,含VIA族元素的化台物在研究和生产中有许多重要用途。请回答下列问题:
(1)S单质的常见形式为S8,其环状结构如下图所示,S原子采用的轨道杂化方式是 ;
(2)原子的第一电离能是指气态电中性基态原子失去一个电子转化为气态基态正离
子所需要的最低能量,O、S、Se原子的第一电离能由大到小的顺序为 ;
(3)Se原子序数为 ,其核外M层电子的排布式为 ;
(4)H2Se的酸性比H2S (填“强”或“弱”)。气态SeO3分子的立体构型
为 ,SO32-离子的立体构型为 ;
(5)H2SeO3的K1和K2分别为2.7x l0-3和2.5x l0-8,H2SeO4第一步几乎完全电离,
K2为1.2X10-2,请根据结构与性质的关系解释:
①H2SeO3和H2SeO4第一步电离程度大于第二步电离的原因:
;
② H2SeO4比 H2SeO3酸性强的原因:
(6)ZnS在荧光体、光导体材料、涂料、颜料等行业中应用广泛。立方ZnS晶体结构如下图所示,其晶胞边长为540.0 pm.密度为 (列式并计算),a位置S2-离子与b位置Zn2+离子之间的距离为 pm(列示表示)
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VIA族的氧、硫、硒(Se)、碲(Te)等元素在化合物中常表现出多种氧化态,含VIA族元素的化合物在研究和生产中有许多重要用途。请回答下列问题:
(1)S单质的常见形式为S8,其环状结构如下图所示,S原子采用的轨道杂化方式是______;
(2)原子的第一电离能是指气态电中性基态原子失去一个电子转化为气态基态正离子所需要的最低能量,O、S、Se原子的第一电离能由大到小的顺序为______;
(3)Se原子序数为______,其核外M层电子的排布式为______;
(4)H2Se的酸性比H2S__________(填“强”或“弱”)。气态SeO3分子的立体构型为______平面三角形,SO32-离子的立体构型为______三角锥形;
(5)H2SeO3的K1和K2分别为2.7×10-3和2.5×10-8,H2SeO4第一步几乎完全电离,K2为1.2×10-2,请根据结构与性质的关系解释:
①H2SeO3和H2SeO4第一步电离程度大于第二步电离的原因:________;第一步电离后生成的负离子较难再进一步电离出带正电荷的氢离子;
②H2SeO4比H2SeO3酸性强的原因:______;
(6)ZnS在荧光体、光导体材料、涂料、颜料等行业中应用广泛。立方ZnS晶体结构如图所示,其晶胞边长为540.0 pm,密度为____________(列式并计算),a位置S2-离子与b位置Zn2+离子之间的距离为___________________pm(列式表示)。
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